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题目
A.金刚石型，直接带隙半导体
B.闪锌矿型，直接带隙半导体
C.金刚石型，间接带隙半导体
D.闪锌矿型，间接带隙半导体
更多“1、硅的晶格结构是 ，按能带结构划分属于 （）。”相关的问题
第2题
A.室温下，硅的禁带宽度约为1.12eV，是直接带隙半导体
B.室温下，锗的禁带宽度约为0.67eV，是直接带隙半导体
C.室温下，砷化镓的禁带宽度约为1.12eV，是直接带隙半导体
D.室温下，硅的禁带宽度约为1.12eV，是间接带隙半导体
第3题
A.间接带隙，1.0 eV左右
B.直接带隙, 1.0 eV左右
C.间接带隙, 1.45-1.50 eV
D.直接带隙, 1.45-1.50 eV
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