题目
A.间接带隙,1.0 eV左右
B.直接带隙, 1.0 eV左右
C.间接带隙, 1.45-1.50 eV
D.直接带隙, 1.45-1.50 eV
第1题
A.室温下,硅的禁带宽度约为1.12eV,是直接带隙半导体
B.室温下,锗的禁带宽度约为0.67eV,是直接带隙半导体
C.室温下,砷化镓的禁带宽度约为1.12eV,是直接带隙半导体
D.室温下,硅的禁带宽度约为1.12eV,是间接带隙半导体
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