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[单选题]

以下关于半导体能带特征描述正确的是（）

A.室温下，硅的禁带宽度约为1.12eV，是直接带隙半导体

B.室温下，锗的禁带宽度约为0.67eV，是直接带隙半导体

C.室温下，砷化镓的禁带宽度约为1.12eV，是直接带隙半导体

D.室温下，硅的禁带宽度约为1.12eV，是间接带隙半导体

答案

业务领域基本固定?与政府关系紧密?特殊的融资原则

更多“以下关于半导体能带特征描述正确的是（）”相关的问题

第1题

室温时，下列半导体禁带宽度的大小顺序排列正确的是？

A.砷化镓>硅>锗

B.砷化镓>锗>硅

C.锗>砷化镓>硅

D.硅>锗>砷化镓

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第2题

硅半导体器件比锗半导体器件的工作温度高，是因为（）。

A.硅中电子有效质量大

B.硅的纯度高，杂质少

C.硅的禁带较宽

D.硅的禁带较窄

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第3题

宽禁带半导体材料的禁带宽度是（)

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第4题

半导体、金属和绝缘体的禁带宽度不同，其导电特性不一样，金属的禁带宽度（）半导体禁带宽度。

A.大于

B.等于

C.小于

D.没有可比性

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第5题

通常绝缘体的禁带宽度比半导体禁带宽度大。

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第6题

下列半导体材料中，属于直接带隙半导体的是（）。

A.硅

B.锗

C.砷化镓

D.磷化镓

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第7题

一般把禁带宽度大于或等于（）的半导体材料归类为宽禁带半导体材料。

A.1eV

B.0.5eV

C.2.3eV

D.5eV

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第8题

根据能带结构的特点，可以将半导体分为直接带隙和（）半导体。

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第9题

5. 硅半导体器件比锗半导体器件的工作温度高，是因为（）。 A. 硅中电子有效质量大 B. 硅的熔点较高 C. 硅的禁带较宽 D. 硅的纯度高，杂质少

A.A

B.B

C.C

D.D

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第10题

对于处于饱和区的半导体硅材料，温度升高将导致禁带宽度（）。

A.变大

B.变小

C.不变

D.以上都不对

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