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[单选题]

下列半导体材料中,属于直接带隙半导体的是()。

A.硅

B.锗

C.砷化镓

D.磷化镓

答案
砷化镓
更多“下列半导体材料中,属于直接带隙半导体的是()。”相关的问题

第1题

室温时,下列半导体禁带宽度的大小顺序排列正确的是?

A.砷化镓>硅>锗

B.砷化镓>锗>硅

C.锗>砷化镓>硅

D.硅>锗>砷化镓

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第2题

下列半导体材料中,表现为双极性行为的是()。

A.磷化镓中的锗

B.磷化镓中的硅

C.磷化镓中的锗

D.磷化铟中的硅

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第3题

典型的本征半导体有

A.硅(Si)

B.锗(Ge)

C.砷化镓(GaAs)

D.铁(Fe)

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第4题

磁阻效应实验中,被测量的磁阻元件是

A.锑化铟

B.砷化镓

C.硅

D.砷化铟

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第5题

下列关于微电子技术的叙述,错误的是?

A.Moore定律指出单块集成电路的集成度平均每年翻一番

B.现代集成电路使用的半导体材料主要是硅,也可以是化合物半导体如砷化镓等

C.现在PC机中使用的微处理器芯片都是超大规模和极大规模集成电路

D.微电子技术以集成电路为核心

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第6题

根据能带结构的特点,可以将半导体分为直接带隙和()半导体。
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第7题

以下哪种元素可以作为半导体材料?

A.碳(C)

B.硅(Si)

C.磷(P)

D.砷(As)

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第8题

第31号元素镓(Ga)是当年门捷列夫预言过的类铝,现在是重要的半导体材料之一。Ga的核外电子排布式为 ;价电子构型为 ;它位于周期表中的第 周期、 族、 区。
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第9题

NPN和PNP型晶体管的区别取决于____。

A.半导体材料硅和锗的不同

B.掺杂元素的不同

C.掺杂浓度的不同

D.P区和N区的位置不同

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第10题

补偿半导体的形成描述不正确的是()

A.指同一区域内同时含有施主和受主杂质原子的半导体

B.n型半导体中材料中注入受主杂质原子

C.p型半导体中材料中注入受主杂质原子

D.补偿型半导体性质完全取决于杂质浓度Na与Nd的数目

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