从能带结构上来看，砷化镓材料属于____________________带隙半导体。

A.硅

B.锗

C.砷化镓

D.磷化镓

A.室温下，硅的禁带宽度约为1.12eV，是直接带隙半导体

B.室温下，锗的禁带宽度约为0.67eV，是直接带隙半导体

C.室温下，砷化镓的禁带宽度约为1.12eV，是直接带隙半导体

D.室温下，硅的禁带宽度约为1.12eV，是间接带隙半导体

A.砷化镓>硅>锗

B.砷化镓>锗>硅

C.锗>砷化镓>硅

D.硅>锗>砷化镓

A.硅

B.锗

C.砷化镓

D.锑化铟

A.硅(Si)

B.锗(Ge)

C.砷化镓(GaAs)

D.铁（Fe）