通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中()的刻蚀速率尽量低。

A.刻蚀速率

B.刻蚀均匀性

C.刻蚀选择比

D.刻蚀因子

A.铜

B.铝

C.金

D.二氧化硅

A.离子注入

B.刻蚀

C.扩散

D.光刻

A.二氧化硅氮化硅

B.多晶硅硅化金属

C.单晶硅多晶硅

D.铝铜

E.铝硅

A.电子

B.离子

C.原子

D.分子

A.除 去光刻胶中剩余的溶剂

B.增强光刻胶对晶片表面的附着力

C.提高光刻胶的抗刻蚀能力

D.有利于以后的去胶工序

E.减少光刻胶的缺陷

A.刻蚀

B.氧化

C.淀积

D.光刻

A.二氧化硅

B.氮化硅

C.单晶硅

D.多晶硅

A.干法刻蚀

B.湿法刻蚀

C.化学刻蚀

D.物理刻蚀

A.CF4

B.BCl3

C.Cl2

D.F2

E.CHF3