题目
A.除 去光刻胶中剩余的溶剂
B.增强光刻胶对晶片表面的附着力
C.提高光刻胶的抗刻蚀能力
D.有利于以后的去胶工序
E.减少光刻胶的缺陷
第3题
A.CA光刻胶对深紫外光吸收小
B.CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化
C.CA光刻胶在显影液中的可溶性强
D.有较高的光敏度
E.有较高的对比度
第4题
A.粒子的扩散
B.化学反应
C.从气体源通过强迫性的对流传送
D.被表面吸附
第7题
A.内部的杂质分布
B.表面的杂质分布
C.整个晶体的杂质分布
D.内部的导电类型
E.表面的导电类型
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