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下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者()。

下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者()。

A.二氧化硅氮化硅

B.多晶硅硅化金属

C.单晶硅多晶硅

D.铝铜

E.铝硅

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更多“下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者()。”相关的问题

第1题

在生产过程中必须使用()来完成浅沟槽隔离STI。

A.单晶硅刻蚀

B.多晶硅刻蚀

C.二氧化硅刻蚀

D.氮化硅刻蚀

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第2题

多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对()的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。

A.二氧化硅

B.氮化硅

C.单晶硅

D.多晶硅

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第3题

()的刻蚀方法是以等离子体辅助来进行薄膜刻蚀的一种技术。

A.干法刻蚀

B.湿法刻蚀

C.化学刻蚀

D.物理刻蚀

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第4题

当刻蚀线条时,刻蚀的深度V与一边的横向增加量ΔX的比值称之为()。

A.刻蚀速率

B.刻蚀均匀性

C.刻蚀选择比

D.刻蚀因子

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第5题

在刻蚀()过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气,能够提高刻蚀的速率。

A.铜

B.铝

C.金

D.二氧化硅

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第6题

反应离子刻蚀RIE的主要特点是()。

A.只属于物理性刻蚀

B.只属于化学性刻蚀

C.既有物理刻蚀又包含化学刻蚀

D.以上选项都不正确

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第7题

在集成电路工艺中,光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是()。

A.刻蚀

B.氧化

C.淀积

D.光刻

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第8题

离子束刻蚀是利用具有一定能量的()轰击材料表面,使材料原子发生溅射,从而达到刻蚀目的。

A.电子

B.离子

C.原子

D.分子

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第9题

大硅片上生长的()的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性。

A.薄膜厚度

B.图形宽度

C.图形长度

D.图形间隔

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第10题

有机性气体大多产生在下列哪道工艺()。

A.离子注入

B.刻蚀

C.扩散

D.光刻

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