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[单选题]

有机性气体大多产生在下列哪道工艺()。

A.离子注入

B.刻蚀

C.扩散

D.光刻

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第1题

在集成电路工艺中,光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是()。

A.刻蚀

B.氧化

C.淀积

D.光刻

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第2题

在离子束加工时中,哪种加工方式能改变工件表面材料成分()。

A.离子刻蚀

B.离子注入

C.离子溅射沉积

D.离子镀

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第3题

离子束加工技术利用注入效应加工的是()。

A.溅射镀膜

B.离子镀

C.离子注入

D.离子束刻蚀

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第4题

光刻工艺中使用的对准和曝光设备是是现代光刻系统的最主要的组成系统,光刻工艺中最主要的工艺控制项是条宽控制和()。

A.对位控制

B.分辨率控制

C.粘附性控制

D.灵敏度控制

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第5题

通常情况下,我们改变工艺条件使刻蚀进行中()的刻蚀速率尽量低。
通常情况下,我们改变工艺条件使刻蚀进行中()的刻蚀速率尽量低。

A.光刻胶

B.衬底

C.表面硅层

D.扩散区

E.源漏区

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第6题

当刻蚀线条时,刻蚀的深度V与一边的横向增加量ΔX的比值称之为()。

A.刻蚀速率

B.刻蚀均匀性

C.刻蚀选择比

D.刻蚀因子

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第7题

pn结的种类有()。

A.合金结

B.生长结

C.扩散或离子注入结

D.场感应结

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第8题

对于浓度覆盖很宽的杂质原子,可以采用()方法引入到硅片中。

A.离子注入

B.溅射

C.淀积

D.扩散

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第9题

肿瘤的扩散包括()

A.局部浸润

B.直接蔓延

C.淋巴道转移

D.血道转移

E.种植性转移

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第10题

()是与气体辉光放电现象密切想关的一种薄膜淀积技术。

A.蒸镀

B.离子注入

C.溅射

D.沉积

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