大硅片上生长的（)的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性。

A.刻蚀速率

B.刻蚀均匀性

C.刻蚀选择比

D.刻蚀因子

A.干法刻蚀

B.湿法刻蚀

C.化学刻蚀

D.物理刻蚀

A.刻蚀

B.氧化

C.淀积

D.光刻

A.铜

B.铝

C.金

D.二氧化硅

A.只属于物理性刻蚀

B.只属于化学性刻蚀

C.既有物理刻蚀又包含化学刻蚀

D.以上选项都不正确

A.单晶硅刻蚀

B.多晶硅刻蚀

C.二氧化硅刻蚀

D.氮化硅刻蚀

A.A.时不均匀性

B.B.日不均匀性

C.C.月不均匀性

D.D.年不均匀性

A.光刻胶

B.衬底

C.表面硅层

D.扩散区

E.源漏区