下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有()。

A.二氧化硅氮化硅

B.多晶硅硅化金属

C.单晶硅多晶硅

D.铝铜

E.铝硅

A.光刻胶

B.衬底

C.表面硅层

D.扩散区

E.源漏区

A.干法刻蚀

B.湿法刻蚀

C.化学刻蚀

D.物理刻蚀

A.硅土

B.石英

C.磷石英

D.玻璃

E.水晶

A.ARC可以是硅的氮化物

B.可用干法刻蚀除去

C.ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成

D.ARC在刻蚀中也可做为掩蔽层

E.ARC膜也可以通过CVD的方法形成

A.金属

B.非金属固体

C.液体

D.气体

E.等离子体

A.天然气

B.焦炭

C.电力

A.控制Si源

B.选择合适的碱度

C.选择有利于高温区下移的技术和操作措施

D.精心操作

B.H₂0

C.

D.NH₄Ac

E.

A.刻蚀速率

B.刻蚀均匀性

C.刻蚀选择比

D.刻蚀因子