pn结加负偏压时，是以势垒电容为主。（)

A.扩散电容

B.不确定

C.线性电容

D.势垒电容

A.势垒区宽度较大的PN结容易发生隧道击穿

B.隧道击穿也称齐纳击穿

C.隧道击穿发生在重掺杂PN结中

D.隧道击穿的击穿电压温度系数为负

A.体电阻上压降

B.势垒区的产生与复合

C.大注入条件

D.pn结反向击穿

A.变窄

B.变宽

C.变小

D.不变

A.正偏PN结的偏压来控制其附近正偏结的电流

B.正偏PN结的偏压来控制其附近反偏结的电流

C.反偏PN结的偏压来控制其附近正偏结的电流

D.反偏PN结的偏压来控制其附近反偏结的电流

A.在PN结上的正向电压减小

B.在PN结上的反向电压增加

C.使空间电荷区势垒宽度增加

D.使载流子从半导体流入空间电荷区

A.负偏压较大时，氧化层电容Cox比空间电荷区电容Cs大

B.负偏压较大时，总的MOS电容近似等于Cs，与外加电压无关

C.当负偏压减小时，能带下弯程度减小，QSC随ψs的变化减慢，因而Cs减小

D.当负偏压减小时，总的MOS电容为Cox与Cs串联组成，故将随负偏压减小而减小