PN具有电容效应，当外加正向电压时以什么为主。（)

A.集电结势垒电容

B.集电结扩散电容

C.发射结势垒电容

D.发射结扩散电容

A.大

B.小

C.相同

D.不确定

A.变窄

B.变宽

C.变小

D.不变

A.负偏压较大时，氧化层电容Cox比空间电荷区电容Cs大

B.负偏压较大时，总的MOS电容近似等于Cs，与外加电压无关

C.当负偏压减小时，能带下弯程度减小，QSC随ψs的变化减慢，因而Cs减小

D.当负偏压减小时，总的MOS电容为Cox与Cs串联组成，故将随负偏压减小而减小

A.电容中的漏电流

B.电容上累积的电荷

C.电容上的充放电电压

D.电容两端的交流电压

A.等效电容为各电容之和

B.等效电容为各电容倒数之和的倒数

C.总电压取决于击穿电压最低的电容器

D.各电容器两端的电压相同

A.在PN结上的正向电压减小

B.在PN结上的反向电压增加

C.使空间电荷区势垒宽度增加

D.使载流子从半导体流入空间电荷区

A.截止

B.导通

C.击穿

D.饱和