PN结外加反向电压时，外力日电场的方向与自建电场的方向一致，使空间电荷区（)，势垒加高。

A.A.变窄

B.B.基本不变

C.C.变宽

D.D.无法确定

A.在PN结上的正向电压减小

B.在PN结上的反向电压增加

C.使空间电荷区势垒宽度增加

D.使载流子从半导体流入空间电荷区

A.体电阻上压降

B.势垒区的产生与复合

C.大注入条件

D.pn结反向击穿

A.扩散电容

B.不确定

C.线性电容

D.势垒电容

A.光的传播方向与电场方向同向

B.光的传播方向与电场方向反向

C.光的传播方向与电场方向垂直

D.光的传播方向与电场方向无关

A.势垒区宽度较大的PN结容易发生隧道击穿

B.隧道击穿也称齐纳击穿

C.隧道击穿发生在重掺杂PN结中

D.隧道击穿的击穿电压温度系数为负

A.更低

B.更高

C.不变

D.不确定

A.增大

B.减小

C.几乎不变

D.都不是