以衬底为p型的理想MOS结构为例，当外加电压VG<0时，以下说法正确的是（)。

A.电子

B.电离施主

C.空穴

D.电离受主

A.大，大

B.大，小

C.小，大

D.小，小

A.正，电离施主杂质

B.正，电离施主杂质和空穴

C.负，电离受主杂质

D.负，电离受主杂质和电子

A.扩散电容

B.不确定

C.线性电容

D.势垒电容

A.半导体表面强反型时的栅极电压称为阈值电压

B.若金属相比半导体的功函数较小，二者功函数之差越大时，n沟增强型MOSFET的开启电压就越小

C.衬底掺杂浓度越高，沟道越容易进入强反型状态

D.氧化层厚度增加，阈值电压增加

A.积累，无

B.耗尽，无

C.反型，有

D.积累，有

A.不考虑Si-SiO2界面的结构

B.不考虑金属和半导体之间的功函数之差

C.金属和半导体之间不会通过SiO2层交换电子

D.都正确

A.跨导反映外加栅极电压控制漏-源电流的能力

B.跨导指的是栅极电压每变化1伏特所引起的栅-源电流的变化

C.跨导标志着MOS场效应管的电压放大能力

D.MOS管的跨导越大，电压增益也越大