以n型半导体MIS结构为例，当在栅极上加上负电压时，随着电压的加大，吸引到半导体表面的（)浓度迅速增加，形成反型层。

A.半导体表面强反型时的栅极电压称为阈值电压

B.若金属相比半导体的功函数较小，二者功函数之差越大时，n沟增强型MOSFET的开启电压就越小

C.衬底掺杂浓度越高，沟道越容易进入强反型状态

D.氧化层厚度增加，阈值电压增加

A . 电流型半导体

B . 电子型半导体

C . 空穴型半导体

D . 电压型半导体

E . 功率型半导体

A.电压控制的

B.电流控制的

C.既是电压又是电流控制的

A.正，电离施主杂质

B.正，电离施主杂质和空穴

C.负，电离受主杂质

D.负，电离受主杂质和电子

A.只存在一种载流子：自由电子

B.在二极管中，N型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极

C.在纯净的硅衬底上，分散三价元素，可形成N型半导体

D.在PNP型的晶体管中，基区正是由N型半导体构成

A.P型半导体P型表面态

B.P型半导体N型表面态

C.N型半导体P型表面态

D.N型半导体N型表面态

A.控制栅极负电压

B.控制栅极正电压

C.阴极负电压

D.阳极正电压

A.PN型

B.P型

C.N型

D.NP型

A.P型半导体和N型半导体材料本身带电

B.N型半导体中，由于多数载流子为空穴，所以它带正电

C.N型半导体中，由于多数载流子为空穴，所以它带负电

D.P型半导体中，多数载流子为空穴，它不带电

A.掺杂半导体

B.纯净半导体

C.P型半导体

D.N型半导体