以下关于MOSFET阈值电压的说法中，错误的是（)。

A.正值，强反型

B.正值，导电沟道消失

C.负值，强反型

D.负值，导电沟道消失

A.靠近栅极界面的电荷比靠近半导体界面的电荷影响更大

B.靠近半导体界面的电荷比靠近栅极界面的电荷影响更大

C.靠近栅极界面的电荷与靠近半导体界面的电荷的影响相同

D.靠近氧化层中间位置的电荷影响更大

A.-0.5V

B.-1V

C.0.5V

D.1V

A.电子

B.电离施主

C.空穴

D.电离受主

A.GCA成立条件是沿沟道方向（电流前进方向）电场强度远小于栅感应电场（半导体表面电场）

B.强反型时可以用GCA，但亚阈值时不能用GCA

C.用了GCA后，反型电荷面浓度与沟道中位置无关

D.用了GCA后，可以把二维问题转化为一维

A.跨导反映外加栅极电压控制漏-源电流的能力

B.跨导指的是栅极电压每变化1伏特所引起的栅-源电流的变化

C.跨导标志着MOS场效应管的电压放大能力

D.MOS管的跨导越大，电压增益也越大

A.不考虑Si-SiO2界面的结构

B.不考虑金属和半导体之间的功函数之差

C.金属和半导体之间不会通过SiO2层交换电子

D.都正确

A.空穴是多数载流子

B.在二极管中，P型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极

C.在纯净的硅衬底上，掺杂五价元素，可形成P型半导体

D.在NPN型的晶体管中，基区正是由P型半导体构成

A.阶梯电流

B.阶梯电压

C.正弦半波电流

D.正弦半波电压

A.耐压高，电流容量大

B.电压控制型器件

C.关断速度比MOSFET慢

D.电流控制型器件