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[单选题]

清洗机清洗晶圆后,用离子风枪风淋晶圆正反面,整个过程风淋时间不少于()钟。

A.5

B.6

C.10

D.3

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第1题

划片后晶圆清洗时离子风枪口与晶圆距离应保持在15±5cm。()
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第2题

进入无尘室风淋区时,风淋时间为30秒,风淋时要轻拍身体,全身摇摆。()
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第3题

造成晶圆表面划伤的原因有()。

A.来料划伤

B.传递过程蹭伤

C.更换晶圆划伤

D.二次加工划伤

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第4题

晶圆转序时核对;(抽样1片)及()上工单号一致。

A.流程卡

B.晶圆

C.晶圆管制卡

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第5题

注意晶圆在卸下时必须在晶圆表面覆盖洁净滤纸,以防止蹭伤晶圆。()
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第6题

上芯加工过程发现晶圆有异常,经工程判定是晶圆自身问题,因此可以一边反馈客户,一边加工。()
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第7题

作业员更换晶圆时的核对项目有()

A.工单号

B.晶圆批号

C.晶圆片号(自编号和用户编号)

D.委工单号

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第8题

产品检验过程,取片时自下而上抽取晶圆。()
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第9题

晶圆放置时应正面朝上放置在提篮中,且拿取整批晶圆时提篮的锁扣必须锁好,防止晶圆掉落。()
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第10题

晶圆上机时核对()项目。

A.封装形式

B.工单号

C.晶圆批号

D.委工单号

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