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第1题
场效应管特性曲线仿真。要求: 1.分别选择一N沟道增强型MOS管、一P沟道耗尽型MOS管,仿真其伏安特性曲线。 2.对比这两个伏安特性曲线,寻找其差别。
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第2题
当栅源电压为0V时,_______MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。
A.N沟道耗尽型
B.N沟道增强型
C.P沟道耗尽型
D.P沟道增强型
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第3题
N沟道增强型MOS管有截止和饱和导通两种工作状态。
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第4题
增强型MOS管可以采用自偏压和分压自偏压两种偏置方式。
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第5题
增强型MOS管在vGS>0,vGS<0,vGS = 0时均可导通。
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第6题
增强型MOS管,在无外加偏置电压时,不存在导电沟道。
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第7题
当MOS管的衬底引线单独引出时,应将其接到电路中的电位最低点(对N沟道MOS管而言)或电位最高点(对P沟道MOS管而言),以保证沟道与衬底间的PN结处于反向偏置,使衬底与沟道及各电极隔离。
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第8题
N沟道增强型MOS管的栅源开启电压为 。
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第9题
UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有()。(注:多选)
A.结型管
B.增强型MOS管
C.耗尽型MOS管
D.均可以
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第10题
vGS=0V时能够工作在恒流区的场效应管有 。
A.结型场效应管
B.增强型MOS管
C.耗尽型MOS管
D.无效选项
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