更多“UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有()。(注:多选)”相关的问题
第1题
vGS=0V时能够工作在恒流区的场效应管有 。
A.结型场效应管
B.增强型MOS管
C.耗尽型MOS管
D.无效选项
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第2题
UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 () 。
A.增强型NMOS
B.增强型PMOS
C.耗尽型NMOS
D.耗尽型PMOS
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第3题
场效应管特性曲线仿真。要求: 1.分别选择一N沟道增强型MOS管、一P沟道耗尽型MOS管,仿真其伏安特性曲线。 2.对比这两个伏安特性曲线,寻找其差别。
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第4题
当栅源电压为0V时,_______MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。
A.N沟道耗尽型
B.N沟道增强型
C.P沟道耗尽型
D.P沟道增强型
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第5题
CMOS反相器电路是由()各一个器件构成的
A.增强型PMOS工作管和耗尽型NMOS负载管
B.增强型NMOS管和耗尽型PMOS管
C.增强型NMOS工作管和增强型PMOS负载管
D.增强型PMOS管和耗尽型NMOS管
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第6题
增强型MOS管工作在饱和区(放大区)时,其栅源电压必须大于零。
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第7题
要想在信号的整个周期内保证MOS管始终工作在恒流区,就必须设置合适的静态工作点。
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第8题
某绝缘栅场效应管的开启电压为4V,源极电位-2V,栅极电位3V,漏极电位-1.2V,则下述关于该FET说法正确的是()。
A.N沟道增强型管,工作在可变电阻区
B.N沟道耗尽型管,工作在放大区
C.P沟道增强型管,工作在截止区
D.P沟道耗尽型管,工作在放大区
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第9题
某场效应管的IDSS为6mA,而IDQ自漏极流出,大小为8mA,则该管是()。
A.N沟道结型管
B.增强型PMOS管
C.耗尽型PMOS管
D.耗尽型NMOS管
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第10题
P沟道耗尽型MOS管的栅源夹断电压是________。
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