更多“增强型MOS管工作在饱和区(放大区)时,其栅源电压必须大于零。”相关的问题
第1题
N沟道增强型MOS管的栅源开启电压为 。
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第2题
增强型MOS管,在无外加偏置电压时,不存在导电沟道。
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第3题
一个NPN管在电路中正常工作,现测得:UBE>0,UBC>0, UCE>0,则此管工作区为()。
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第4题
MOS管在模拟集成电路中的工作区域是饱和区。
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第6题
测得某MOSFET的漏源电压,栅源电压值以及阈值电压:VDS=-3V,VGS=-2V,VTP=-1V,试判断该管子工作在 区。
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第7题
N沟道增强型MOS管有截止和饱和导通两种工作状态。
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第8题
晶体管的输出特性曲线可以分为截止区、放大区、饱和区,在模拟电子电路中,要实现放大,晶体管应工作在()区。
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第9题
由N沟道增强型场效应管构成的放大电路中,栅源电压VGS应: 。
A.大于0
B.小于0
C.大于或小于0均可
D.无法确定
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