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第1题
增强型MOS管,在无外加偏置电压时,不存在导电沟道。
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第2题
N沟道增强型MOS管有截止和饱和导通两种工作状态。
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第3题
场效应管分为两大类()。
A.N沟道型和P沟道型
B.NPN型和PNP型
C.绝缘栅型和结型
D.增强型和耗尽型
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第4题
由N沟道增强型场效应管构成的放大电路中,漏源电压VDS应: 。
A.大于0
B.小于0
C.大于或小于0均可
D.无法确定
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第5题
耗尽型PMOS管制作时,在栅极SiO2绝缘层中注入了大量的正离子,在没有外加栅源电压下,就存在导电沟道。
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第6题
当不考虑沟道调制效应时,MOS管小信号模型中的rds可近似为零。
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第7题
当vGD =VTN时,增强型NMOS管导电沟道出现预夹断。
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第8题
结型场效应管和绝缘栅型场效应管都具有N沟道型和P沟道型,结型场效应管的N沟道与绝缘栅型场效应管的N沟道其沟道结构是相同的
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第9题
当电路中电流的参考方向与实际方向的相反时,则该电流()。
A.一定为正值
B.一定为负值
C.不能确定正值还是负值
D.有时为正值,有时为负值
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第10题
在基孔制配合中,规定基准孔()。
A.上偏差为零,下偏差为负值
B.上偏差为正值,下偏差为负值值
C.下偏差为零,上偏差为正值
D.下偏差为负值,上偏差为正值C
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