更多“当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。”相关的问题
第1题
要使耗尽型NMOS的导电沟道消失，需要外加负的栅源电压。
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第2题
N沟道增强型MOS管的栅源开启电压为 。
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第3题
耗尽型PMOS管制作时，在栅极SiO2绝缘层中注入了大量的正离子，在没有外加栅源电压下，就存在导电沟道。
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第4题
N沟道耗尽型场效应管中，漏源电压VDS越大，漏源电流IDS： 。
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第5题
结型场效应管利用删源极间所加的_________来改变导电沟道的电阻。
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第6题
增强型MOS管，在无外加偏置电压时，不存在导电沟道。
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第7题
结型场效应管和绝缘栅型场效应管都具有N沟道型和P沟道型，结型场效应管的N沟道与绝缘栅型场效应管的N沟道其沟道结构是相同的
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第8题
场效应管分为两大类（）。
A.N沟道型和P沟道型
B.NPN型和PNP型
C.绝缘栅型和结型
D.增强型和耗尽型
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第9题
由N沟道增强型场效应管构成的放大电路中，栅源电压VGS应： 。
A.大于0
B.小于0
C.大于或小于0均可
D.无法确定
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第10题
增强型MOS管工作在饱和区（放大区）时，其栅源电压必须大于零。
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