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[单选题]

CMOS反相器电路是由（）各一个器件构成的

A.增强型PMOS工作管和耗尽型NMOS负载管

B.增强型NMOS管和耗尽型PMOS管

C.增强型NMOS工作管和增强型PMOS负载管

D.增强型PMOS管和耗尽型NMOS管

答案

C、增强型NMOS工作管和增强型PMOS负载管

更多“CMOS反相器电路是由（）各一个器件构成的”相关的问题

第1题

UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有（）。

A.增强型NMOS

B.增强型PMOS

C.耗尽型NMOS

D.耗尽型PMOS

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第2题

某场效应管的IDSS为6mA,而IDQ自漏极流出，大小为8mA,则该管是（）。

A.N沟道结型管

B.增强型PMOS管

C.耗尽型PMOS管

D.耗尽型NMOS管

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第3题

当vGD =VTN时，增强型NMOS管导电沟道出现预夹断。

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第4题

增强型NMOS管的开启电压（）。

A.大于零

B.小于零

C.等于零

D.大于零或等于零

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第5题

下列的输入端允许悬空。

A.TTL与非门

B.CMOS反相器

C.NMOS同或门

D.CMOS异或门

E.PMOS与门

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第6题

类NMOS或非门的工作管是串联的，当输入全为高电平时，各管的导通电阻串联，使低电平输出电压升高，以致破坏正常逻辑功能；而类NMOS与非门的工作管是并联的，增加NMOS管的数目不会影响低电平输出电压的稳定，因而类NMOS电路多以与非门作为基本门电路。对吗？

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第7题

MOS型集成电路可以分为PMOS，NMOS和CMOS等类型。

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第8题

增强型PMOS管的开启电压大于零。

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第9题

CMOS非门是由一个NMOS和一个PMOS组成，其栅极相连作为输入，漏极相连作为输出，NMOS源极需接（）电平，PMOS源极接（）电平。

A.低、高

B.高、低

C.低、低

D.高

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第10题

（）场效应管不能采用自偏压电路。

A.增强型

B.耗尽型

C.结型

D.增强型和耗尽型

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