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第1题
场效应管分为两大类()。
A.N沟道型和P沟道型
B.NPN型和PNP型
C.绝缘栅型和结型
D.增强型和耗尽型
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第2题
UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 () 。
A.增强型NMOS
B.增强型PMOS
C.耗尽型NMOS
D.耗尽型PMOS
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第3题
场效应管可以分为绝缘栅型和增强型两种。
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第4题
N沟道耗尽型场效应管中,漏源电压VDS越大,漏源电流IDS: 。
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第5题
结型场效应管和绝缘栅型场效应管都具有N沟道型和P沟道型,结型场效应管的N沟道与绝缘栅型场效应管的N沟道其沟道结构是相同的
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第6题
由N沟道增强型场效应管构成的放大电路中,漏源电压VDS应: 。
A.大于0
B.小于0
C.大于或小于0均可
D.无法确定
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第7题
由N沟道增强型场效应管构成的放大电路中,栅源电压VGS应: 。
A.大于0
B.小于0
C.大于或小于0均可
D.无法确定
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第8题
N沟道增强型场效应管输出特性的预夹断轨迹由vGD = VTN的点组成。
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第9题
N沟道耗尽型MOSFET,已知夹断电压VPN= -1V,当vGS=1.5V时,夹断点电压对应的VDS = V。
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第10题
结型场效应管发生预夹断后,管子关断,电流为零。
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