更多“N沟道增强型场效应管输出特性的预夹断轨迹由vGD = VTN的点组成。”相关的问题
第1题
当vGD =VTN时,增强型NMOS管导电沟道出现预夹断。
点击查看答案
第2题
由N沟道增强型场效应管构成的放大电路中,漏源电压VDS应: 。
A.大于0
B.小于0
C.大于或小于0均可
D.无法确定
点击查看答案
第3题
场效应管分为两大类()。
A.N沟道型和P沟道型
B.NPN型和PNP型
C.绝缘栅型和结型
D.增强型和耗尽型
点击查看答案
第4题
结型场效应管和绝缘栅型场效应管都具有N沟道型和P沟道型,结型场效应管的N沟道与绝缘栅型场效应管的N沟道其沟道结构是相同的
点击查看答案
第5题
N沟道增强型MOS管有截止和饱和导通两种工作状态。
点击查看答案
第6题
场效应管可以分为绝缘栅型和增强型两种。
点击查看答案
第7题
N沟道耗尽型MOSFET,已知夹断电压VPN= -1V,当vGS=1.5V时,夹断点电压对应的VDS = V。
点击查看答案
第8题
N沟道结型场效应管工作在线性放大区时, VGS为(正/负)电压,VDS为(正/负)电压
点击查看答案
第9题
1、“面”是 的连续移动而形成的轨迹,或者由不同性质的 线 所组成的轮廓。
点击查看答案
第10题
场效应管静态工作点Q点过低,容易引起()失真
点击查看答案