更多“当半导体表面被加热至稳定状态时，气体接触半导体表面而被吸附，吸附的分子首先在半导体表面自由扩散，失去运动能量，一部分分子被蒸发掉，另一部分分子固定在吸附处。”相关的问题
第1题
半导体气敏传感器是利用待测气体与半导体 （填表面、内部）接触时, 产生的电导率等物理性质变化来检测气体的。
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第2题
瓦斯的吸收状态是指在孔隙表面的固体分子引力作用下，气体分子被紧密的吸附于孔隙表面，形成很薄的吸附层。
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第3题
当金属与n型半导体接触时，若Wm＞Ws，则在半导体表面形成一个高阻的区域，常称为反阻挡层。
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第4题
某理想MIS（n型半导体衬底)结构中,若在金属栅上加足够高正电压,则以下______说法错误。
A.金属的费米能级比半导体低
B.半导体表面势为正
C.半导体表面能带向下弯曲
D.半导体表面处于积累状态
E.以上说法都不对
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第5题
当还原性气体传感器N型半导体的表面在高温下遇到可燃性气体时，电阻率下降，电阻______。
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第6题
当还原性气体传感器N型半导体的表面在高温下遇到可燃性气体时，电阻率下降，电阻增大
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第7题
半导体表面态密度很高时，可以屏蔽金属接触的作用，使半导体内的势垒高度和金属功函数几乎无关
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第8题
用金属探针与半导体接触以测量半导体的电阻率通过采取（）避免少数载流子注入的影响。
A.引入杂质
B.改变接触
C.增加表面复合
D.减少表面复合
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第9题
P-Sub的理想MOS结构在耗尽状态时，半导体表面空间电荷区的电荷主要是 ，此时半导体表面 导电。
A.电子，可以
B.空穴。可以
C.施主离子，不可以
D.受主离子，不可以
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第10题
Langmuir吸附等温式基于一系列假定。下面不属于这些假定的是
A.被吸附分子做单层吸附
B.被吸附的分子之间无相互作用
C.固体表面是均匀的
D.被吸附分子发生多层吸附
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第11题
化学吸附一般为多分子层吸附，分子不能在表面自由移动。
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