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[单选题]

用金属探针与半导体接触以测量半导体的电阻率通过采取()避免少数载流子注入的影响。

A.引入杂质

B.改变接触

C.增加表面复合

D.减少表面复合

答案
增加表面复合
更多“用金属探针与半导体接触以测量半导体的电阻率通过采取()避免少数载流子注入的影响。”相关的问题

第1题

在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于 。

A.温度

B.杂质浓度

C.晶体缺陷

D.掺杂工艺

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第2题

在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于____

A.温度

B.掺杂工艺

C.杂质浓度

D.无

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第3题

在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于(),而少数载流子的浓度与()有很大关系。

A.杂质浓度;环境温度;

B.环境温度;杂质浓度;

C.杂质浓度;外加电场;

D.杂质价态;杂质浓度;

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第4题

在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要和()有很大关系。

A.光照

B.温度

C.掺杂类型与浓度

D.热辐射

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第5题

在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 。

A.I型半导体

B.杂质浓度

C.杂质类型

D.温度

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第6题

杂质半导体中其掺杂浓度远大于本征半导体的载流子浓度。
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第7题

在N型半导体中 为多数载流子, 为少数载流子。
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第8题

在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于 。

A.杂质浓度

B.温度

C.本征半导体

D.掺杂工艺

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第9题

补偿半导体的形成描述不正确的是()

A.指同一区域内同时含有施主和受主杂质原子的半导体

B.n型半导体中材料中注入受主杂质原子

C.p型半导体中材料中注入受主杂质原子

D.补偿型半导体性质完全取决于杂质浓度Na与Nd的数目

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第10题

在N型半导体中,多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子。
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