更多“P-Sub的理想MOS结构在耗尽状态时，半导体表面空间电荷区的电荷主要是 ，此时半导体表面 导电。”相关的问题
第1题
金属与p型半导体形成的MIS结构在耗尽状态时Qs的增加主要由加宽的那部分耗尽层中的（）承担所致。
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第2题
以P-Si为衬底的MOS结构在达到强反型时，其表面空间电荷是负的
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第3题
当表面势大于零时，表面空间电荷区的电荷面密度Qs用正号。
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第4题
理想MOS结构是（)。
A.金半功函数差为零
B.栅氧化层内有效电荷密度不为零
C.栅氧化层与半导体界面处存在界面态
D.无法确定
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第5题
当半导体硅中掺有受主杂质时，主要靠（）导电，这种半导体称为P型半导体。
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第6题
半导体表面态密度很高时，可以屏蔽金属接触的作用，使半导体内的势垒高度和金属功函数几乎无关
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第7题
重量分析中，杂质在沉淀过程中以混晶形式进入沉淀时，主要是由于
A.沉淀表面电荷不平衡
B.表面吸附
C.沉淀速度过快
D.离子结构类似
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第8题
PN结是在两种半导体交界面，由离子薄层形成的空间电荷区，因此PN结带电。
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第9题
热平衡状态中，半导体中的导电电子浓度和空穴浓度都保持一个稳定的数值。
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第10题
非化学计量化合物Fe1－xO晶体属于（）型半导体。
A.离子导电
B.电子导电
C.电子－空穴导电
D.空穴导电
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