更多“半导体表面态密度很高时,可以屏蔽金属接触的作用,使半导体内的势垒高度和金属功函数几乎无关”相关的问题
第1题
实际上,由于表面态浓度的不同,紧密接触时,金属功函数对表面势垒产生不同程度的影响。
点击查看答案
第2题
用金属探针与半导体接触以测量半导体的电阻率通过采取()避免少数载流子注入的影响。
A.引入杂质
B.改变接触
C.增加表面复合
D.减少表面复合
点击查看答案
第3题
肖特基二极管是利用金属-半导体整流接触特性制成的二极管,不存在电荷存储效应。
点击查看答案
第4题
理想MOS结构是()。
A.金半功函数差为零
B.栅氧化层内有效电荷密度不为零
C.栅氧化层与半导体界面处存在界面态
D.无法确定
点击查看答案
第5题
当金属与p型半导体加正电压时,表面处能带()。
A.向上弯曲
B.向下弯曲
C.不变
D.以上说法都不对
点击查看答案
第6题
半导体、金属和绝缘体的禁带宽度不同,其导电特性不一样,金属的禁带宽度()半导体禁带宽度。
点击查看答案
第7题
为什么温度升高时,金属的导电性减弱,而半导体的导电性却增强?
点击查看答案
第8题
1. 下列哪种物质属于半导体催化剂_______。
点击查看答案
第9题
电子在深度为E0的势阱内,要使费米面上的电子逃离金属,至少使之获得φ=E0-EF的能量,φ称为脱出功又称为功函数。脱出功越大,电子脱离金属越容易。
点击查看答案
第10题
半导体的功函数决定于费米能级在禁带中的位置。
点击查看答案