更多“N沟道增强型MOSFET工作于放大工作状态时,要求UGSQ>______, UDSQ>______。”相关的问题
第1题
N沟道增强型MOS管有截止和饱和导通两种工作状态。
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第2题
若P沟道结型场效应管工作在放大状态,则栅极电位()于源极电位。
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第3题
当N沟道增强型场效应管工作在可变电阻区时,iD 几乎仅决定于vGS。
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第4题
某绝缘栅场效应管的开启电压为4V,源极电位-2V,栅极电位3V,漏极电位-1.2V,则下述关于该FET说法正确的是()。
A.N沟道增强型管,工作在可变电阻区
B.N沟道耗尽型管,工作在放大区
C.P沟道增强型管,工作在截止区
D.P沟道耗尽型管,工作在放大区
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第5题
当栅源电压为0V时,_______MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。
A.N沟道耗尽型
B.N沟道增强型
C.P沟道耗尽型
D.P沟道增强型
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第6题
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值,VDS=3V,VGS=2V,VTN=1V;其中VTN为增强型MOS管的开启电压;试判断该管工作在什么区域。
A.饱和区(恒流区、放大工作区)
B.可变电阻区
C.预夹断临界点
D.截止区
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第7题
MOSFET放大电路的静态工作点合适时,也可能出现严重的非线性失真。
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第8题
由N沟道增强型场效应管构成的放大电路中,漏源电压VDS应: 。
A.大于0
B.小于0
C.大于或小于0均可
D.无法确定
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第10题
工作在电压比较器的运放通常工作于()
A.开环或者正反馈
B.深度负反馈
C.放大状态
D.线性工作状态
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