更多“当N沟道增强型场效应管工作在可变电阻区时,iD 几乎仅决定于vGS。”相关的问题
第1题
由N沟道增强型场效应管构成的放大电路中,栅源电压VGS应: 。
A.大于0
B.小于0
C.大于或小于0均可
D.无法确定
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第2题
N沟道结型场效应管工作在线性放大区时, VGS为(正/负)电压,VDS为(正/负)电压
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第3题
场效应管用于放大电路时,应工作于()。 A: 截止区 B: 可变电阻区 C: 饱和区
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第4题
N沟道增强型场效应管输出特性的预夹断轨迹由vGD = VTN的点组成。
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第5题
场效应管分为两大类()。
A.N沟道型和P沟道型
B.NPN型和PNP型
C.绝缘栅型和结型
D.增强型和耗尽型
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第6题
场效应管的转移特性曲线是指iD与vGS之间的函数关系特性曲线。
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第7题
N沟道耗尽型MOSFET,已知夹断电压VPN= -1V,当vGS=1.5V时,夹断点电压对应的VDS = V。
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第8题
增强型MOS场效应管由于预先在二氧化硅绝缘层中掺入了大量的离子,因此存在原始的导电沟道。
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第9题
场效应管中,放大区和可变电阻区为同一区域()
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第10题
结型场效应管和绝缘栅型场效应管都具有N沟道型和P沟道型,结型场效应管的N沟道与绝缘栅型场效应管的N沟道其沟道结构是相同的
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