更多“若P沟道结型场效应管工作在放大状态，则栅极电位（）于源极电位。”相关的问题
第1题
某结型场效应管的夹断电压为-3V，源极电位3V，栅极电位-1V，漏极电位10V，则下述关于该FET说法正确的是（）。
A.P沟道管，工作在可变电阻区
B.N沟道管，工作在放大区
C.P沟道管，工作在截止区
D.N沟道管，工作在截止区
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第2题
某结型场效应管的夹断电压为3V，源极电位1V，栅极电位3V，漏极电位-10V，则下述关于该FET说法正确的是（）。
A.P沟道管，工作在可变电阻区
B.N沟道管，工作在放大区
C.P沟道管，工作在放大区
D.N沟道管，工作在可变电阻区
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第3题
某绝缘栅场效应管的开启电压为4V，源极电位-2V，栅极电位3V，漏极电位-1.2V，则下述关于该FET说法正确的是（）。
A.N沟道增强型管，工作在可变电阻区
B.N沟道耗尽型管，工作在放大区
C.P沟道增强型管，工作在截止区
D.P沟道耗尽型管，工作在放大区
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第4题
场效应管具有共栅极放大电路、共源极放大电路及共漏极放大电路三种组态
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第5题
结型场效应管和绝缘栅型场效应管都具有N沟道型和P沟道型，结型场效应管的N沟道与绝缘栅型场效应管的N沟道其沟道结构是相同的
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第6题
场效应管放大器的基本基本组态电路有（）
A.共基极放大电路
B.共源极放大电路
C.共栅极放大电路
D.共漏极放大电路
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第7题
结型场效应管利用删源极间所加的_________来改变导电沟道的电阻。
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第8题
场效应管分为两大类（）。
A.N沟道型和P沟道型
B.NPN型和PNP型
C.绝缘栅型和结型
D.增强型和耗尽型
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第10题
耗尽型PMOS管制作时，在栅极SiO2绝缘层中注入了大量的正离子，在没有外加栅源电压下，就存在导电沟道。
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