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第1题
判断:耗尽型绝缘栅场效应管当栅源电压为0时,漏极不会有电流。()
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第2题
某MOSFET当UGS=0时存在导电沟道,并且在正的栅源电压作用下,其漏极电流增大,则可以判断该场效应管的类型是()。
A.N沟道增强型MOSFET
B.P沟道增强型MOSFET
C.N沟道耗尽型MOSFET
D.P沟道耗尽型MOSFET
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第3题
场效应管的跨导gm反映了场效应管()的控制能力。
A.栅源电压对漏极电流
B.栅源电压对漏源电压
C.栅极电压对漏极电流
D.栅源电压对栅漏电压
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第4题
某MOSFET当UGS=0时存在导电沟道,并且在正的栅源电压作用下,其漏极电流增大,则可以判断该场效应管的类型是
A.N沟道增强型MOSFET
B.P沟道增强型MOSFET
C.N沟道耗尽型MOSFET
D.P沟道耗尽型MOSFET
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第5题
场效应管的跨导gm反映了场效应管的控制能力
A.栅源电压对漏极电流
B.栅源电压对漏源电压
C.栅极电压对漏极电流
D.栅源电压对栅漏电压
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第6题
对于MOSFET,根据栅源电压为0时是否存在导电沟道,可分为 场效应管和 场效应管。
A.MOS;结型
B.增强型;结型
C.增加型;耗尽型
D.耗尽型;结型
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第7题
对于MOSFET,根据栅源电压为0时是否存在导电沟道,可分为 场效应管和 场效应管
A.MOS;结型
B.增强型;结型
C.增加型;耗尽型
D.耗尽型;结型
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第8题
场效应管是通过改变()电压来改变漏极电流的,所以它是一个电压控制型器件。
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第9题
当栅源电压为0V时,_______MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。
A.N沟道耗尽型
B.N沟道增强型
C.P沟道耗尽型
D.P沟道增强型
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