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第1题
当栅源电压为0V时,_______MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。
A.N沟道耗尽型
B.N沟道增强型
C.P沟道耗尽型
D.P沟道增强型
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第2题
当栅源电压为0V时,_______MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。
A.N沟道耗尽型
B.N沟道增强型
C.P沟道耗尽型
D.P沟道增强型
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第3题
某MOSFET当UGS=0时存在导电沟道,并且在正的栅源电压作用下,其漏极电流增大,则可以判断该场效应管的类型是()。
A.N沟道增强型MOSFET
B.P沟道增强型MOSFET
C.N沟道耗尽型MOSFET
D.P沟道耗尽型MOSFET
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第4题
耗尽型N沟道MOS管栅源间电压为0时,也可工作在恒流区。()
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第5题
EMOS管存在导电沟道时,栅源电压必定大于零。
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第6题
要使耗尽型NMOS的导电沟道消失,需要外加负的栅源电压。
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第7题
N沟道结型场效应管漏源电流最大时,栅源两端加入的电压应该是()。
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