更多“某MOSFET当UGS=0时存在导电沟道,并且在正的栅源电压作用下,其漏极电流增大,则可以判断该场效应管的类型是()。”相关的问题
第1题
当栅源电压为0V时,_______MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。
A.N沟道耗尽型
B.N沟道增强型
C.P沟道耗尽型
D.P沟道增强型
点击查看答案
第2题
结型场效应管利用删源极间所加的_________来改变导电沟道的电阻。
点击查看答案
第3题
场效应管跨导gm表征栅源电压对漏极电流的控制能力。
点击查看答案
第4题
场效应管的跨导gm表示栅源电压对漏极电流的控制能力
点击查看答案
第5题
场效应管的漏极电流与栅源之间的电压成平方率关系
点击查看答案
第6题
表征场效应管放大作用的重要参数是(),它反映了栅源电压对漏极电流的控制能力。
点击查看答案
第7题
双极型晶体三极管的集电极电流与发射结电压成指数关系 ; 场效应管的漏极电流与栅源之间的电压成平方率关系。
点击查看答案
第8题
耗尽型绝缘栅场效应管初始时存在导电沟道。
点击查看答案
第9题
下列关于场效应管说法正确的是
A.场效应管是一种半导体器件
B.场效应管漏源之间的电流受栅电压的控制
C.对n型硅为主体的场效应管在栅电压施加正电压
D.对p型硅为主体的场效应管在栅电压施加正电压
点击查看答案
第10题
某绝缘栅场效应管的开启电压为4V,源极电位-2V,栅极电位3V,漏极电位-1.2V,则下述关于该FET说法正确的是()。
A.N沟道增强型管,工作在可变电阻区
B.N沟道耗尽型管,工作在放大区
C.P沟道增强型管,工作在截止区
D.P沟道耗尽型管,工作在放大区
点击查看答案