更多“场效应管的跨导gm反映了场效应管()的控制能力。”相关的问题
第1题
场效应管跨导gm表征栅源电压对漏极电流的控制能力。
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第2题
场效应管的跨导gm表示栅源电压对漏极电流的控制能力
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第3题
表征场效应管放大作用的重要参数是(),它反映了栅源电压对漏极电流的控制能力。
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第4题
场效应管主要工作原理是栅源电压对漏极电流的控制作用,但实际上漏极电流还受到漏源电压的影响。
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第5题
跨导主要反应了栅源电压对漏源电压的控制能力。
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第6题
场效应管的漏极电流与栅源之间的电压成平方率关系
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第7题
双极型晶体三极管的集电极电流与发射结电压成指数关系 ; 场效应管的漏极电流与栅源之间的电压成平方率关系。
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第8题
下列关于场效应管说法正确的是
A.场效应管是一种半导体器件
B.场效应管漏源之间的电流受栅电压的控制
C.对n型硅为主体的场效应管在栅电压施加正电压
D.对p型硅为主体的场效应管在栅电压施加正电压
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第9题
共源极放大电路的输入电压加在漏极和源极之间,输出电压取自栅极和源极。
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第10题
假设NMOS晶体管栅源电压大于阈值电压。当漏源电压VDS等于饱和电压VDSsat时,导电沟道靠近漏极处开始出现夹断。如果VDS继续增大,夹断点移向源极侧,沟道有效长度变短。
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