更多“由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的,所以其()就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。”相关的问题
第1题
刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被()覆盖及保护的部分,以化学作用或是物理作用的方式加以去除,以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。
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第2题
铜与氯形成的化合物挥发能力不好,因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行,而必须施以()。
A.等离子体刻蚀
B.反应离子刻蚀
C.湿法刻蚀
D.溅射刻蚀
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第3题
单晶硅刻蚀一般采用()做掩蔽层,以氟化氢为主要的刻蚀剂,氧气为侧壁钝化作用的媒介物。
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第4题
干法刻蚀由于图形的保真度比较好,是亚微米和深亚微米尺寸小刻蚀器件的主要方法。()
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第5题
负载效应是指因刻蚀面积变化而导致的刻蚀均匀性的变化,刻蚀速率随着被刻蚀薄膜暴露的面积的增加而下降。()
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第6题
光刻技术的原理和印刷的照相制版相似,即在硅基材料上涂覆光刻胶,接着利用分辨率极高的能量束来通过掩模,对光刻胶层进行选择性曝光。经显影后,在光刻胶层上获得和掩模图像相同的极微细的几何图形,再利用刻蚀等方法在工件材料上制造出微型结构。()
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第7题
刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率,()是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度,并计算这些点的刻蚀速率而得到的。
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第8题
()是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。
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第9题
晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的()使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。
A.n型掺杂区
B.P型掺杂区
C.栅氧化层
D.场氧化层
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第10题
反应离子刻蚀RIE刻蚀时选择最优的刻蚀掺数的组合可以在保证表面光滑和一定的速率和方向性。()
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