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第1题
刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（)是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。
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第2题
（)是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。
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第3题
由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（)就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。
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第4题
铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（)。
A.等离子体刻蚀
B.反应离子刻蚀
C.湿法刻蚀
D.溅射刻蚀
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第5题
反应离子刻蚀RIE刻蚀时选择最优的刻蚀掺数的组合可以在保证表面光滑和一定的速率和方向性。（)
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第6题
在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的（)内加入适量的氢气，能够降低刻蚀的速率。
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第7题
反应离子刻蚀RIE工作过程中若物理作用占主导则刻蚀损伤较大;若化学作用占主导则刻蚀速度较慢，各项同性，表面粗糙。（)
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第8题
晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（)使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。
A.n型掺杂区
B.P型掺杂区
C.栅氧化层
D.场氧化层
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第9题
单晶硅刻蚀一般采用（)做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的媒介物。
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第10题
刻蚀带液片进入退火机台对退火石英舟没有响应。（）
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