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第1题
半导体载流子在运动中遭到散射的根本原因是周期性势场被破坏。
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第2题
1、以下关于杂质的描述正确的是
A.半导体中的杂质会局部的破坏晶格的周期性势场，引起载流子的散射。#B.电离的杂质会引起载流子的散射，从而影响载流子的迁移率。#C.中性杂质不会对半导体产生影响。#D.如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场，所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和。#E.如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于杂质的补偿作用，对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差。#F.如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度，由于杂质的补偿作用，该半导体材料属于本征半导体。#G.杂质会在半导体的禁带中引入能级。#H.如果杂质能级较浅，则杂质易于电离，可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型，如掺入硅中的磷。#I.如果杂质能级较深，则杂质不易于电离，可能形成复合中心或陷阱中心。#J.如果杂质能级（
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第3题
（）质量可以概括半导体内部周期性势场的作用。
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第4题
质量可以概括半导体内部周期性势场的作用
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第5题
载流子遭受散射的根本原因是原子永不停息的做无规则热运动。
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第6题
半导体中的载流子有两种有序运动：载流子在浓度差作用下的扩散运动和电场作用下的（）运动。
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第7题
载流子的扩散运动是由什么原因引起的？
A.载流子运动速度不同。
B.空间电场的作用。
C.载流子浓度存在差异。
D.半导体被均匀掺杂。
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第8题
填空 1、半导体中存在两种载流子 和 。 2、费米能级比电中性能级高，称为 半导体，费米能级比电中性能级低，称为 半导体，费米能级越靠近导带，半导体中 浓度越高，费米能级越靠近价带，半导体中 浓度越高。 3、施主杂质电离后向半导体提供 ，受主杂质电离后向半导体提供 ； 4、当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子运动所产生的电流叫 ；在半导体存在外加电压情况下，载流子运动所产生的电流叫 。 5、任何本征以及非简并的杂质半导体的载流子浓度的乘积等于该温度时的本征载流子浓度的平方，即n0p0=ni2标志着半导体处于 状态；当温度变化时乘积n0p0是否改变？ 。 。 6、 是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量， 是反映有浓度梯度时载流子运动难易程度的物理量，两者满足 关系式，关系式是 。
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第9题
晶格周期性势场中运动的单电子波函数具有_________形式，
A.布洛赫函数
B.波函数
C.复函数
D.自由电子波函数
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第10题
p型半导体的导电机构完全决定于半导体中空穴载流子的运动.
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第11题
3、为了概括半导体内部势场对电子的作用，我们引入了 的概念，它将便于我们描述晶体中电子的运动状态。
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