质量可以概括半导体内部周期性势场的作用

A.概括了半导体内部势场对电子的作用。

B.概括了共价键对电子的作用。

C.概括了导带对电子的作用。

D.概括了杂质对电子的作用。

A.有效质量可以为负值；

B.有效质量取决于电子的状态，不同能带曲率具有不同有效质量；

C.有效质量概括了周期性势场的影响；

D.宽能带，有效质量小，窄能带有效质量大。

A.周期性势场

B.恒定势场

C.无势场

D.以上都不是

A.半导体中的杂质会局部的破坏晶格的周期性势场，引起载流子的散射。#B.电离的杂质会引起载流子的散射，从而影响载流子的迁移率。#C.中性杂质不会对半导体产生影响。#D.如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场，所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和。#E.如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于杂质的补偿作用，对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差。#F.如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度，由于杂质的补偿作用，该半导体材料属于本征半导体。#G.杂质会在半导体的禁带中引入能级。#H.如果杂质能级较浅，则杂质易于电离，可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型，如掺入硅中的磷。#I.如果杂质能级较深，则杂质不易于电离，可能形成复合中心或陷阱中心。#J.如果杂质能级（

A.两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性重叠，每层材料（势阱和势垒）的厚度都很薄，都可以和电子的德布罗意波长相比，称这种结构为超晶格结构。

B.两种不同的半导体薄层周期性重叠，若窄带材料（势阱）的厚度很小，可以和电子的德布罗意波长相比，而宽带材料（势垒）的厚度较大，称这种结构为超晶格结构。

C.能够对电子（空穴）的运动产生某种约束，使其能量量子化的势场就是超晶格结构。

D.双异质结形成的结构，如 AlxGa1-xAs/GaAs /AlxGa1-xAs结构。

A.布洛赫函数

B.波函数

C.复函数

D.自由电子波函数