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一个单元晶层到相邻的单元晶层的水平距离c称为晶层间距()

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第1题

关于非晶硒平板探测器的叙述,下列错误的是()。

A.使用了光电导材料,能将所吸收的光子转换成电荷

B.典型材料为非晶硒(a-Se)

C.每个薄膜晶体管(TFT)形成一个采集图像的最小单元

D.非晶硒层直接将X线转换成电信号

E.与非晶硅探测器的工作原理相同

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第2题

蒙脱石单元晶层,一面为O层,另一面为()

A.O

B.OH

C.Si

D.Al

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第3题

4、晶圆代工厂提供给设计者用于后端版图设计,叫库交换格式,它是描述库单元的物理属性,包括端口位置、层定义和通孔定义。它抽象了单元的底层几何细节,提供了足够的信息,以便允许布线器在不对内部单元约束来进行修订的基础上进行单元连接。包含了工艺的技术信息,如布线的层数、最小的线宽、线与线之间的最小距离以及每个被选用cell,BLOCK,PAD的大小和pin的实际位置。这个库的后缀是.()

A.gds

B.lef

C.scs

D.lay

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第4题

晶圆代工厂提供给设计者用于后端版图设计,叫库交换格式,它是描述库单元的物理属性,包括端口位置、层定义和通孔定义。它抽象了单元的底层几何细节,提供了足够的信息,以便允许布线器在不对内部单元约束来进行修订的基础上进行单元连接。包含了工艺的技术信息,如布线的层数、最小的线宽、线与线之间的最小距离以及每个被选用cell,BLOCK,PAD的大小和pin的实际位置。这个库的后缀是.()

A.gds

B.lef

C.scs

D.lay

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第5题

晶圆代工厂提供给设计者用于后端版图设计,叫库交换格式,它是描述库单元的物理属性,包括端口位置、层定义和通孔定义。它抽象了单元的底层几何细节,提供了足够的信息,以便允许布线器在不对内部单元约束来进行修订的基础上进行单元连接。包含了工艺的技术信息,如布线的层数、最小的线宽、线与线之间的最小距离以及每个被选用cell,BLOCK,PAD的大小和pin的实际位置。这个库的后缀是.()

A.gds

B.lef

C.scs

D.lay

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第6题

下列哪项不是非晶砸平板探测器的结构:()。
下列哪项不是非晶砸平板探测器的结构:()。

A.探测器单元阵列部分

B.碘化铯闪烁体层部分

C.数字影像传输部分

D.X线转换介质部分

E.高速信号处理部分

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第7题

单元窑池深h主要取决于玻璃的透热性及池底耐火材料能承受的温度。池窑太深,会在窑底产生不动层,玻璃液温度低而析晶,池窑太浅,会使耐火材料受玻璃液的侵蚀,缩短池窑的寿命。()
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第8题

(题干)透过被照体的X线照射到平板探测器的非晶硒层时,由于非晶硒的导电特性被激发出电子-空穴对,

(题干)透过被照体的X线照射到平板探测器的非晶硒层时,由于非晶硒的导电特性被激发出电子-空穴对,即一对正负电子。该电子-空穴对在外加偏置电压形成的电场作用下被分离并反向运动,负电子跑向偏压的正极,正电子跑向偏压的负极,于是形成电流。电流的大小与入射X线光子的数量成正比,这些电流信号被存储在TFT的极间电容上。每个TFT形成一个采集图像的最小单元,即像素。每个像素区内有一个场效应管,在读出该像素单元电信号时起开关作用。在读出控制信号的控制下,开关导通,把存储于电容内的像素信号逐一按顺序读出、放大,送到A/D转换器,从而将对应的像素电荷转化为数字化图像信号。 关于该平板探测器的叙述,错误的是A.属于直接转换

B.属于间接转换

C.成像效果好于IP

D.数据转换不经过可见光

E.需要高压电场

场效应管的作用是A.产生电荷

B.存储电荷

C.开关

D.A/D转换

E.放大

请帮忙给出每个问题的正确答案和分析,谢谢!

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第9题

在伊利石晶层之间吸附有(),对相邻两晶层产生了很强的键联效果,连接力很强,使晶层不易膨胀。

A.K+

B.Ca2+

C.Mg2+

D.Al3+

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第10题

在伊利石晶层之间吸附有,对相邻两晶层产生了很强的键联效果,连接力很强,使晶层不易膨胀

A.K+

B.Ca2+

C.Mg2+

D.Al3+

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第11题

6、在伊利石晶层之间吸附有(),对相邻两晶层产生了很强的键联效果,连接力很强,使晶层不易膨胀。

A.K+

B.Ca2+

C.Mg2+

D.Al3+

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