关于非晶硒平板探测器的叙述，下列错误的是()。

A.非晶硅型FPD外形类似X线胶片的暗盒，是一种半导体探测器

B.非晶硒型平板探测器主要由集电矩阵、硒层、电介层、顶层电极和保护层等构成

C.非晶硅平板探测器的探测元阵列的作用是捕获可见荧光并转换成电信号

D.非晶硅平板探测器中使用的碘化铯晶体的X射线吸收系数是X射线能量的函数

E.非晶硒导电特性是在处于普通日光照射下是绝缘体，在X线照射下会有导电现象，且导电率随X线强度的增加而增加

关于DR探测器的类型，错误的是

A．非晶硒平板型探测器

B．非晶硅平板型探测器

C．碘化铯平板型探测器

D．多丝正比室扫描DR

E．CCD摄像机型DR

A、玻璃基板

B、集电矩阵

C、非晶硒层

D、半导体层

E、顶层电极

A.非晶硒平板探测器和非晶硅平板探测器都使用了面曝光技术，检查时，一次曝光可以覆盖整个被检部位

B.多丝正比室采用的是线扫描技术，探测器与X线管同步移动曝光完成摄像

C.非晶硅探测器可以将X线信息转换成可见光，再转换成电信号

D.非晶硒探测器不能直接将X线信息转换成电信号

E.CCD摄像机型探测器不能直接将X线信息转换成电信号

关于非晶硒探测器的说法，错误的是

A.X线影像转换成数字影像的过程中，没有可见光的产生

B.硒层的主要作用是接收X线的照射，产生电子-空穴对

C.在该平板探测器中，薄膜晶体管(TFT)起幵关作用，每个TFT就是一个影像像素

D.TFT像素尺寸的大小，直接决定图像的分辨率

E.在平板探测器扫描电路未清除砸层中的潜影和电容上的电荷时，可以继续使用

对于非晶硒探测器的说法，下列错误的是

A.X线影像转换成数字影像的过程中，没有可见光的产生

B.硒层的主要作用是接收X线的照射，产生电子一空穴对

C.在该平板探测器中，薄膜晶体管(TFT)起开关作用，每个TFT就是一个影像像素

D.TFT像素尺寸的大小，直接决定图像的分辨率

E.在平板探测器扫描电路未清除硒层中的潜影和电容上的电荷时，可以继续使用

(题干)透过被照体的X线照射到平板探测器的非晶硒层时，由于非晶硒的导电特性被激发出电子-空穴对，即一对正负电子。该电子-空穴对在外加偏置电压形成的电场作用下被分离并反向运动，负电子跑向偏压的正极，正电子跑向偏压的负极，于是形成电流。电流的大小与入射X线光子的数量成正比，这些电流信号被存储在TFT的极间电容上。每个TFT形成一个采集图像的最小单元，即像素。每个像素区内有一个场效应管，在读出该像素单元电信号时起开关作用。在读出控制信号的控制下，开关导通，把存储于电容内的像素信号逐一按顺序读出、放大，送到A/D转换器，从而将对应的像素电荷转化为数字化图像信号。 关于该平板探测器的叙述，错误的是A.属于直接转换

B.属于间接转换

C.成像效果好于IP

D.数据转换不经过可见光

E.需要高压电场

场效应管的作用是A.产生电荷

B.存储电荷

C.开关

D.A/D转换

E.放大

请帮忙给出每个问题的正确答案和分析，谢谢！

A.属于间接转换型平板探测器

B.常见的多为碘化铯+非晶硅型

C.碘化铯层的晶体直接生长在基板上

D.碘化铯针状结构明显增加了X线的伪影

E.X线探测、图像采集和读出都是相互独立的过程

A.CCD平板传感器

B.碘化铯非晶硅平板探测器

C.非晶硒平板探测器

D.胶片数字化仪

E.计算机X线摄影

关于非晶硅型平板探测器，说法正确的是

A.该平板探测器在影像的转换过程中，没有可见光的产生

B.同样使用薄膜晶体管来接收电信号

C.与非晶硒型平板探测器最大的区别是在影像的转换中有可见光产生

D.它使用光电二极管来接收可见光信号，两个二极管相当于一个像素

E.以上说法都正确