更多“双极型晶体管发射结势垒区复合以及大注入都会使输入输出特性曲线非理想。()”相关的问题
第1题
由于双极型晶体管有效基区宽度的变化，引起基区中少子积累的变化，反应出（)的充放电效应。
A.集电结势垒电容
B.集电结扩散电容
C.发射结势垒电容
D.发射结扩散电容
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第2题
pn结实际电流电压特性偏离理想值的原因不包括（)。
A.体电阻上压降
B.势垒区的产生与复合
C.大注入条件
D.pn结反向击穿
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第3题
绝缘栅双极型晶体管（IGBT)是一种由单极性的MOS和双极型晶体管复合而成的器件。它兼有MOS和晶体管二者的优点，属于电压型驱动器件。（)
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第4题
在异质结双极型晶体管中，通常将发射结作成异质结，即用宽禁带材料制作发射区，用窄禁带材料制作基区。（)
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第5题
在晶体管T型等效电路中，高频情况下，集电极电阻远大于集电极势垒电容等效阻抗，因此并联情况下，集电极电阻可以忽略。（)
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第6题
电力晶体管（GTR)是一种双极型低功率晶体管，属于电流控制型元件。（)
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第7题
高频静电感应晶体管（SIT)比绝缘栅双极型晶体管（IGBT)适用的频率更高。（)
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第8题
当发射结承受反向电压、集电结承受反向电压时，双极型晶体管的工作状态是（)。
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第9题
当发射结承受正向电压、集电结承受反向电压时，双极型晶体管的工作状态是（)。
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第10题
考虑Early效应对双极型晶体管共基极连接使用的影响，以下说法中不正确的是（)。
A.工作在线性放大区时，集电极电流略有增加
B.基区有效宽度减小
C.基区少子浓度梯度增大
D.输出特性曲线左移
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