电力晶体管（GTR)是一种双极型低功率晶体管，属于电流控制型元件。（)

双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是（)

绝缘栅双极型晶体管（IGBT)是一种由单极性的MOS和双极型晶体管复合而成的器件。它兼有MOS和晶体管二者的优点，属于电压型驱动器件。（)

电力场效应管（MOSFET)是一种单极型大功率晶体管，属于电压控制型元件。其主要优点是基本上无二次击穿现象，开关频率高，输入阻抗高，驱动功率大，易于并联和保护。（)

绝缘栅双极型晶体管（IGBT)综合了GTR和MOSFET的优点，因而具有低导通压降和高输入阻抗的综合优点。（)

双极型晶体管做共发射极连接使用时，Early效应能有效调节集电极电流大小，使晶体管工作稳定。（)

高频静电感应晶体管（SIT)比绝缘栅双极型晶体管（IGBT)适用的频率更高。（)

MOS场效应管是___控制的器件，双极型晶体管是___控制的器件。

GTR属于电流控制型器件。（)

双极型三极管是一种（)控制型元件。

双极型晶体管发射结势垒区复合以及大注入都会使输入输出特性曲线非理想。（)