三价铋离子的电子态能级在Oh对称晶体场中的分裂为（)。

A.可以分析过渡离子的部分电子态能级随晶场强度的改变

B.可以分析过渡离子的电子态能级在部分点群对称晶体场中的改变

C.可以分析所有过渡离子的电子态能级在Oh对称晶体场中随晶场强度的改变

D.可以分析部分过渡离子的电子态能级随晶场强度的改变

A.正四面体和正八面体的空间群不同

B.其他表述都不正确

C.正四面体和正八面体的点群不同

D.d电子在晶体场中电子云畸变态刚好相反

A.导致同一电子层的原子轨道能级发生分裂

B.导致原子轨道的能级发生能级交错的现象

C.导致同一电子层的电子能量不相等

D.导致第四周期为长周期，32个元素

A.4f1

B.4f13

C.2F7/2

D.2F5/2

A.γ射线是在放射性同位素衰变过程中所产生的处于激发态的核在向低能级的激发态或基态跃迁过程中产生的辐射

B.不同的原子核具有不同的能级结构，因此，不同的放射性元素辐射的γ射线具有不同的能量

C.γ射线是一种波长比X射线更短的射线

D.γ射线是一种波长比X射线更长的射线

A.施主能级，导带底

B.施主能级，价带顶

C.受主能级，导带底

D.受主能级，价带顶

A.电中性

B.离子态

C.正电中心

D.负电中心

A.电中性，带正电

B.带负电，电中性

C.电中性，带负电

D.带正电，电中性

A.费米能级表征电子的填充情况，费米能级以上的量子态被电子占据的概率很小，费米能级以下的量子态被电子占据的概率很大

B.本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近

C.N型半导体的费米能级比较靠近价带顶

D.N型半导体掺杂越高，费米能级离禁带中央越远

A.hγ=E2-E1

B.hγ=(E2+E1)/2

C.hγ≥E2-E1

D.hγ≥(E2+E1)/2