PN结反向偏置时,应该是N区的电位比P区的电位（)

A.高

B.高

C.低

D.低

A.只从P区流向N区

B.只从N区流向P区

C.等于零

A.更低

B.更高

C.不变

D.不确定

A.A.变窄

B.B.基本不变

C.C.变宽

D.D.无法确定

A.A. 电子集中的P区

B.B. 电子集中的N区结表面

C.C. 电子集中的P区表面

D.D. 电子集中的N区表面

A.变窄

B.变宽

C.变小

D.不变

A.减小低掺杂区的掺杂浓度

B.提高P区和N区的掺杂浓度

C.选用禁带宽度高的半导体材料

D.选用本征载流子浓度小的半导体材料