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[多选题]

IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的()电力电子器件。

A.结构复杂

B.复合

C.全控型

D.电压驱动式

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第1题

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是一种由单极性的MOS和双极型晶体管复合而成的器件。它兼有MOS和晶体管二者的优点,属于电压型驱动器件。()
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第2题

高频静电感应晶体管(SIT)比绝缘栅双极型晶体管(IGBT)适用的频率更高。()
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第3题

全控型器件有()等器件。
全控型器件有()等器件。

A . 可关断晶闸管

B . 电力晶闸管

C . 功率场效应管

D . 绝缘栅双极型晶体管

E . 大功率整流二极管

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第4题

【单选题】单极型半导体器件是()。

A.二极管

B.双极型三极管

C.场效应管

D.稳压管

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第5题

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)综合了GTR和MOSFET的优点,因而具有低导通压降和高输入阻抗的综合优点。()
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第6题

IGBT是功率MOS和双极性晶体管组成的复合器件。()
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第7题

MOS场效应管结构包括()。

A.源极

B.栅极

C.漏极

D.基极

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第8题

双极型三极管是一种()控制型元件。

A.电压

B.电流

C.电阻

D.电容

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第9题

结型场效应管可分为()。

A.MOS管和MNS管

B.N沟道和P沟道

C.增强型和耗尽型

D.NPN型和PNP型

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第10题

根据三极管结构的不同,分为NPN型和PNP型两种。()
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