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[单选题]

干法刻蚀主要包括下面几类（)。

A.离子束刻蚀IBE

B.等离子体刻蚀PE

C.反应离子刻蚀RIE

D.高密度等离子体刻蚀HDP

单选题，请选择你认为正确的答案：

ABCD

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第1题

为了避免（)在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀，必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。

A.多晶硅

B.单晶硅

C.铝硅铜合金

D.铜

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第2题

离子束加工技术利用注入效应加工的是（)。

A.溅射镀膜

B.离子镀

C.离子注入

D.离子束刻蚀

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第3题

下列有关ARC工艺的说法正确的是()。

下列有关ARC工艺的说法正确的是（)。

A.ARC可以是硅的氮化物

B.可用干法刻蚀除去

C.ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成

D.ARC在刻蚀中也可做为掩蔽层

E.ARC膜也可以通过CVD的方法形成

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第4题

在生产过程中必须使用（)来完成浅沟槽隔离STI。

A.单晶硅刻蚀

B.多晶硅刻蚀

C.二氧化硅刻蚀

D.氮化硅刻蚀

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第5题

助行器主要包括几类（)

A.1类

B.2类

C.3类

D.4类

E.5类

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第6题

在离子束加工中，离子束投射到材料表面产生的两种效应是溅射效应和注入效应。（)

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第7题

ISO/IEC27000系列标准主要包括哪几类标准（)

A.要求类

B.应用类

C.指南类

D.术语类

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第8题

在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（)。

A.刻蚀

B.氧化

C.淀积

D.光刻

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第9题

EMS用于读取识读器或传感器中的数据，对数据进行平滑、协同和转发，将处理后的数据写入RIED或数据库。（)

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第10题

多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（)的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。

A.二氧化硅

B.氮化硅

C.单晶硅

D.多晶硅

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