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第1题
p型的MOS结构半导体表面处于反型区时,空间电荷是()的,为()。
A.正,电离施主杂质
B.正,电离施主杂质和空穴
C.负,电离受主杂质
D.负,电离受主杂质和电子
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第2题
PN结正向偏置是指P型区接电源的负极,N型区接电源的正极。()
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第3题
电晕电流的变化主要是由电极控制,同时受到自身空间电荷的限制。()
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第5题
总的MOS电容C为氧化层单位面积电容Cox与半导体表面空间电荷区的微分电容Cs串联组成。()
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第6题
韶山8型电力机车车体转向架纵向止挡间隙是35mm(单边)。()
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第7题
引导型病毒的感染对象主要是软盘的引导赢区和硬盘的主引导扇区。()
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第8题
韶山8型电力机车车体转向架横向止挡间隙应为20mm(单边)。()
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第9题
单边突变结的()主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度。
A.内建电势
B.耗尽区宽度
C.最大电场
D.势垒高度
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第10题
图例是否加框,要根据图面情况决定。在无邻区的岛状图上,图例应放在主区近侧,可不加框。()
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